Грубий карбід кремнію
Карбід кремнію зернистість 100 опис
Напівпровідникові високопотужні силові електронні пристрої третього покоління, представлені SiC, є одними з найбільш швидкозростаючих силових напівпровідникових пристроїв у галузі силової електроніки.
Карбід кремнію як типовий представник третього покоління напівпровідникових матеріалів, а також найдосконаліша технологія виробництва кристалів і рівень виробництва пристроїв, один із найбільш широко використовуваних широкосмугових напівпровідникових матеріалів, сформував глобальний ланцюжок промисловості матеріалів, пристроїв і додатків. Це ідеальний напівпровідниковий матеріал для високотемпературних, високочастотних, радіаційно-стійких і потужних застосувань.
Специфікація виробів з карбіду кремнію
Постачальники продуктів з карбіду кремнію - ZhenAn International
| ТИПОВИЙ ХІМІЧНИЙ АНАЛІЗ | |
| SiC | 99.05% |
| SiO2 | 0.20% |
| F, Si | 0.03% |
| Fe2O3 | 0.10% |
| F.C | 0.04% |
| ТИПОВІ ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ | |
| твердість: | Моос: 9,5 |
| Температура плавлення: | Сублімується при 2600 градусах |
| Максимальна робоча температура: | 1900 градусів |
| Питома вага: | 3,2 г/см³ |
| Насипна щільність (LPD): | 1.2-1.6 г/см3 |
| колір: | Зелений |
| Форма частинок: | Шестикутний |
Виробник карбіду кремнію зернистістю 100 - ZhenAn International
Постачальник SiC порошку - ZhenAn
Механічні властивості:висока твердість (твердість за К'єльдалем 3000 кг/мм²), може різати рубін; висока зносостійкість, поступається лише алмазу.
Теплові властивості:Теплопровідність перевищує теплопровідність металевої міді, в 3 рази більше, ніж у Si, і в 8-10 разів, ніж у GaAs, добре розсіювання тепла, дуже важливо для пристроїв високої потужності.
Хімічні властивості:стійкість до корозії дуже висока, при кімнатній температурі може протистояти майже будь-яким відомим корозійним агентам. Легке окислення поверхні SiC для створення тонкого шару SiO2 може запобігти його подальшому окисленню, при температурі вище 1700 градусів, цей шар плавлення оксидної плівки та швидка реакція окислення. SiC можна розчинити в розплавленому матеріалі окислювача.
Електричні властивості:Ширина забороненої зони 4H-SiC і 6H-SiC приблизно в 3 рази більша, ніж у Si, у 2 рази більша, ніж у GaAs; його напруженість електричного поля пробою на один порядок вище, ніж у Si, а швидкість дрейфу електронів насичення в 2,5 рази більша, ніж у Si. 4H-SiC має ширшу заборонену зону, ніж 6H-SiC.
Карбід кремнію зернистістю 36 Фотографії відвідувачів
FAQ
Q: Чи договірна ціна?
A: Так, якщо у вас виникнуть запитання, зв’яжіться з нами в будь-який час. А для клієнтів, які хочуть розширити ринок, ми докладемо всіх зусиль, щоб підтримати їх.
З: Чи можете ви надати безкоштовні зразки?
A: Так, ми можемо надати клієнтам безкоштовні зразки, щоб вони перевірили якість або зробили хімічний аналіз, але, будь ласка, повідомте нам детальні вимоги, щоб ми підготували правильні зразки.
Q: Коли ви можете доставити товар?
A: Зазвичай ми можемо доставити товар протягом 15-20 днів після отримання передоплати або оригінального акредитива.
Q: Чи можете ви надати звіт про випробування, виданий SGS або іншою третьою стороною?
A: Так, ми можемо, якщо клієнти вимагатимуть сторонніх звітів про тестування.
Ми щиро сподіваємося бути вашим партнером, ми вітаємо нових і старих клієнтів відвідати путівник, а також різні форми переговорів про торговельну співпрацю!
Популярні Мітки: грубий карбід кремнію, Китай грубий карбід кремнію виробники, постачальники, фабрика
Пара
НіНаступний
НіВам також може сподобатися
Послати повідомлення