Карбід металевого кремнію високого рівня
video

Карбід металевого кремнію високого рівня

Карбід кремнію - це карбід, отриманий з обробленого металевого кремнію, що містить високий рівень кремнію, і вуглецю.
Послати повідомлення
Введення продукту

Опис продукції

 

Метод процесу вилучення кремнію з високою чистотою такарбід кремніюПорошок відходів, що утворюються за рахунок різання або подрібнюючого кремнієвого пластинки, виготовлених з монокристалічного кремнію, що включає роздільну рідину рідкої рідини, вилучення суспензії агентів та зв'язуючих агентів із відходів, що використовують органічні розчинники, газовий флотація твердотільного піску для отримання кремнієвого порошку, а також відокремленої порошку, відокремленої порошку, відокремленого порошку Для отримання порошку кремнію з високою чистотою. У той же час магнітне поділ змішаного порошку карбіду кремнію та металу, отриманого від поділу сили тяжіння, проводиться для отримання чистого порошку карбіду кремнію. Цей метод може ефективно відновити кремній з високою чистотою від суспензії відходів, виробленої під час різання та переробки кремнію, а також мікро-порошку карбіду кремнію, що використовується як скорочення абразивів, з високою ефективністю відновлення, що робить його практичною технологією, яка перетворює відходи в цінні ресурси та стосується дефіциту силіконової силіконової силікону.

 

Параметри продуктів

Забарвлення Чорний
Твердість 9,2 MOHS
Форма зерна Кутовий
Точка плавлення 2100 c хв
Справжня щільність 3. 20-3. 25g\/см3
Об'ємна щільність 1. 2-1. 6g\/см3 (залежить від розміру)

 

Фотона співпраці продуктів

ZhenAn2

1.Карбід кремнію, як широкий матеріал пропускної смуги, має такі переваги, як висока міцність поля, висока насичена швидкість дрейфу електронів та висока теплопровідність, що забезпечує реалізацію нових силових напівпровідникових пристроїв для високопостійних, високочастотних, високочастотних та високотемпературних застосувань. Розробка напівпровідникових пристроїв кремнієвого карбіду, включаючи силові діоди з карбідами кремнію, MOSFET, IGBT та тиристори, окреслює поточний стан та перспективи їх застосування в енергетичних системах. Швидкий розвиток високопостерених, великих силіконових карбідів Power Semiconductor пристроїв матиме глибокий вплив на просування енергетичних систем.

Популярні Мітки: Карбід металевого кремнію високого рівня, Китай високого рівня металевих виробників карбіду, постачальників, фабрика, фабрика

Послати повідомлення

Головна

Телефон

Електронна пошта

Розслідування