Силіконовий метал високого рівня

Типкремній металнановіар, з мінімальною шириною лінії 7 нанометрів. The method for producing this metal silicide nanowire includes growing an insulating film on a single-crystal silicon substrate, using nanoscale processing techniques to etch grooves for the fabrication of metal silicide nanowires, employing metal sputtering and evaporation methods to deposit a metal film layer on the silicon substrate with nanogrooves, and performing high-temperature annealing to allow the metal to react with the Однокристалічний кремній, що піддається впливу на дні канавок, генеруючи металевий силіцид. Потім метод хімічного травлення використовується для видалення прореагування металу на поверхні, що призводить до дискретних нанопроводів металів, що утворюються в нанограми. Металеві силіцинові нанопроводи мають характеристики керованого положення, форми та ширини лінії, що дозволяє наносити вироблених металевих систематичних нанопроводів у інтегровані схеми як металеві взаємозв'язки, дряпання джерела та електроди затвора, які можна виготовити відповідно до практичних потреб.

1.В процесі виготовлення кремнію для сонячних батарей, вдосконалений метод видалення бору зкремній металМоже здійснюватися швидше, ніж раніше. Зокрема, плазмовий потік, що складається з газу аргону з доданою водяною парою, підірвається на поверхню розплавленого металевого кремнію, щоб видалити бор, що міститься в металевому кремнію. У цей момент до вищезгаданого плазмового потоку додається зменшення газу. Відповідно регулюючи співвідношення змішування водяної пари до зменшення газу, кута впорскування газу та методу нагріву, Борон можна видаляти більш ефективно.

Популярні Мітки: Силіконовий метал високого рівня, Китайський виробник високого рівня виробників металів, постачальники, фабрика